半導体装置の製造方法および製造装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：大胡典夫 , 竹花喜久男 , 宇治弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-162133
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363456
出願日： 2003年06月06日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

【課題】信頼性の高い品質を維持できる生産性の高い半導体装置の製造方法および製造装置を提供すること。【解決手段】ガス供給工程で、並列に配置されたフルスケールの異なる複数個のマスフローコントローラ6a〜6cの選択的な作動によりキャリアガスをバブリング装置4に供給する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

反応容器内に載置された基板に対してMOCVD法によりエピタキシャル層を成膜する半導体装置の製造方法であって、キャリアガスをマスフローコントローラを介してバブリング装置に供給し所要の有機金属を含むキャリアガスを反応容器へ供給するガス供給工程と、前記基板にエピタキシャル層を成膜する成膜工程とを具備し、前記ガス供給工程では、1つのキャリアガス系統に配設されたフルスケールの異なる複数個のマスフローコントローラの選択的な作動により前記キャリアガスがバブリング装置に供給されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/205 , C23C16/448 , H01L33/00

FI (3件)：

H01L21/205 , C23C16/448 , H01L33/00 A

Fターム (30件)：

4K030AA11 , 4K030AA17 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA51 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030FA10 , 4K030LA14 , 5F041AA41 , 5F041AA43 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC19 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AF04 , 5F045BB02 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EE04

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭62-187196
流体可変型流量制御装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-236656 出願人：大見忠弘, 東京エレクトロン株式会社, 株式会社フジキン
マスフローコントローラ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-323410 出願人：日立金属株式会社, 東京エレクトロン株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

デュアルレンジマスフローコントローラー

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