特許
J-GLOBAL ID：200903038443546785
配線基板、半導体素子収納用パッケージおよび実装構造
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-138935
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335765
出願日： 1997年05月28日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】高熱膨張特性を有する絶縁基板の表面あるいは内部にメタライズ配線層を具備する配線基板や、高熱膨張特性を有し且つ半導体素子が収納された半導体素子収納用パッケージを、ガラス-エポキシ樹脂等を絶縁体とする外部電気回路に対して、強固に且つ長期にわたり安定した接続状態を維持できるようにする。【解決手段】絶縁基板1と、メタライズ配線層3とを具備した配線基板において、絶縁基板1を、Li2 Oを2〜15重量%で、CaOを2〜30重量%で含有するリチウム珪酸ガラスを20〜80体積%、40〜400°Cにおける熱膨張係数が6ppm/°C以上の金属酸化物を含むフィラーを80〜20体積%含む成形体を焼成してなる40〜400°Cにおける熱膨張係数が8〜18ppm/°Cの焼結体から構成した。
請求項（抜粋）：
絶縁基板と、メタライズ配線層とを具備した配線基板において、前記絶縁基板を、Li2 Oを2〜15重量%で、CaOを2〜30重量%で含有するリチウム珪酸ガラスを20〜80体積%、40〜400°Cにおける熱膨張係数が6ppm/°C以上の金属酸化物を含むフィラーを80〜20体積%含む成形体を焼成してなる40〜400°Cにおける熱膨張係数が8〜18ppm/°Cの焼結体から構成したことを特徴とする配線基板。
IPC (3件)：
H05K 1/03 610
, H01L 23/12
, H01L 23/15
H05K 1/03 610 C
, H01L 23/12 J
, H01L 23/14 C
