CMOS薄膜半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-266684
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116157
出願日： 1995年10月16日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】簡便なCMOS TFT回路の作成方法を提供すること。【解決手段】マスクなしでドープされた第一の導電型のドーピング層を、濃度の高い第二導電型のドーパントで補償して導電型を反転させ、第二導電型のドープ層とする。また、この補償による導電型の反転を容易に、かつ確実に行うため、第二導電型のドーパントで補償する前に、第一導電型のドープ層の表面濃度を低下させる。

請求項（抜粋）：

基板上に能動層シリコン膜を形成する工程と、前記能動層シリコン膜を第一の導電型にドープする工程と、第一の導電型にドープされた層の一部を第二の導電型のドーパントで補償,反転させる工程とを含むことを特徴とするCMOS薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (5件)：

H01L 29/78 616 L , G02F 1/136 500 , H01L 27/08 321 N , H01L 29/78 613 A , H01L 29/78 618 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

薄膜トランジスタの作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-089119 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
CMOS薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-237590 出願人：富士ゼロックス株式会社
特開平1-171274

全件表示

前のページに戻る