特許

J-GLOBAL ID：200903038461005503

半導体装置の製造方法

発明者： 山内 智 ,  竹▲廣▼ 忍 ,  ▲吉▼丸 正樹
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-285715
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121695
出願日： 1997年10月17日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】 誘電体膜としてのBST膜を用いたキャパシタをDRAMに作り込む工程において、コンタクトホール形成領域のBST膜をウエットエッチングによって選択性良く除去する。【解決手段】 下部電極107を形成した後で、シリコンウェハ101の全面に誘電体膜としてのBST膜108を非晶質で形成し、さらに、このBST膜108の上に結晶質の上部電極110を形成した後でランプ加熱することにより、この上部電極110と接する領域108cのBST膜のみを結晶化する。その後、1水素2フッ化アンモニウム水溶液を用いたウエットエッチングを行うことにより、BST膜の非晶質領域108bのみを選択性良く除去することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたキャパシタを有する半導体装置の製造方法において、前記半導体基板上の層間絶縁膜に設けられた層間配線部と、この層間配線部に接するように前記層間絶縁膜上に設けられた導電性パターンとを有する下部電極を形成する第1工程と、前記層間絶縁膜上および前記導電性パターン上に、非晶質または結晶質の誘電体膜を形成する第2工程と、前記誘電体膜上の所定領域に上部電極を形成する第3工程と、少なくとも前記上部電極下の領域が結晶質となり、且つ、他の領域が非晶質となるように、前記誘電体膜を変質させる第4工程と、前記誘電体膜の非晶質領域の一部または全部を、結晶質に対するエッチレートよりも非晶質に対するエッチレートが高いエッチング液を用いたウエットエッチングにより除去する第5工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-017430   出願人：松下電子工業株式会社
• エッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-055888   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-024268   出願人：三菱電機株式会社