特許
J-GLOBAL ID：200903038526746077

薄膜半導体の製造方法

発明者：
金谷 康弘

金谷 康弘 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-341624
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189446
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 紫外線照射によるアニールを行う薄膜半導体の製造方法において、上述したキャップ層としての絶縁膜の破壊、飛散の問題の解決をはかる。【解決手段】 半導体薄膜に紫外線照射アニールを行う工程を有する薄膜半導体の製造方法において、半導体薄膜4の紫外線UV照射側に厚さ1.2nm〜6.5nmの不純物導入阻止の絶縁膜5を成膜し、この絶縁膜5側から上記紫外線照射アニールを行う。
請求項（抜粋）：
半導体薄膜に紫外線照射アニールを行う工程を有する薄膜半導体の製造方法において、上記半導体薄膜の上記紫外線照射側の少なくとも紫外線照射部に厚さ1.2nm〜6.5nmの不純物導入阻止の絶縁膜を成膜し、その後、上記絶縁膜側から上記紫外線照射アニールを行うことを特徴とする薄膜半導体の製造方法。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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