レーザーアニール方法およびレーザーアニール装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-328223
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148267
出願日： 1995年11月22日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【目的】被処理基体にレーザー光を照射してレーザーアニールを行うに際し、被処理基体上面の有機物を除去する。【構成】酸素または水素プラズマ雰囲気中にて、レーザーアニールを行う。特に、酸素プラズマ雰囲気中でのレーザーアニールを、非単結晶珪素膜に対して行うことで、該膜の結晶性、均質性が向上する。また、酸素または水素のプラズマによって、珪素膜の表面に存在する有機物を除去することができる。

請求項（抜粋）：

半導体膜の表面をプラズマによって処理させながらレーザー光の照射によるアニールを行うことを特徴とするレーザーアニール方法。

IPC (3件)：

H01L 21/268 , H01L 21/20 , H01L 21/324

FI (4件)：

H01L 21/268 Z , H01L 21/20 , H01L 21/324 P , H01L 21/324 Z

引用特許：

審査官引用 (7件)

多結晶シリコン膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法及びリモートプラズマ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-142529 出願人：富士ゼロックス株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-015721 出願人：シャープ株式会社
半導体装置の作製方法及び半導体装置の作製装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-100642 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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