特許
J-GLOBAL ID：200903047292587203
レーザーアニール方法およびレーザーアニール装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-328223
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148267
出願日： 1995年11月22日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【目的】 被処理基体にレーザー光を照射してレーザーアニールを行うに際し、被処理基体上面の有機物を除去する。【構成】 酸素または水素プラズマ雰囲気中にて、レーザーアニールを行う。特に、酸素プラズマ雰囲気中でのレーザーアニールを、非単結晶珪素膜に対して行うことで、該膜の結晶性、均質性が向上する。また、酸素または水素のプラズマによって、珪素膜の表面に存在する有機物を除去することができる。
請求項（抜粋）：
半導体膜の表面をプラズマによって処理させながらレーザー光の照射によるアニールを行うことを特徴とするレーザーアニール方法。
IPC (3件)：
H01L 21/268
, H01L 21/20
, H01L 21/324
H01L 21/268 Z
, H01L 21/20
, H01L 21/324 P
, H01L 21/324 Z
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る
