特許
J-GLOBAL ID：200903038553604152

不揮発性記憶装置の高電圧トリミング値設定方法、不揮発性記憶装置の時間トリミング値設定方法、不揮発性記憶装置の検査装置、および不揮発性記憶装置

発明者：
三角 賢治

三角 賢治 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-249834
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087053
出願日： 2002年08月29日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【課題】メモリセルトランジスタへの電気ストレスを緩和して不揮発性記憶装置の信頼性寿命を向上させることができる不揮発性記憶装置の高電圧トリミング値設定方法を提供する。【解決手段】まず、書き込み用高電圧の設計プロファイルにより、設計規格に基づく第一の書き込み用高電圧トリミング値を決定し(ステップS201)、この第一の書き込み用高電圧トリミング値に従う電圧でデータの書き込みを行い(ステップS202)、書き込み後のメモリセルトランジスタのしきい値電圧を測定する(ステップS203)。そして、測定したしきい値電圧と、しきい値電圧と書き込み用高電圧のトリミングプロファイルにより、しきい値電圧を目標値(最低限必要なデータ書き込み後のしきい値電圧)に一致させるのに最適な第二の書き込み用高電圧トリミング値を決定する(ステップS204)。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
データ消去用高電圧やデータ書き込み用高電圧を発生させる高電圧発生回路と、前記高電圧発生回路が発生させる高電圧を高電圧トリミング値に従い所定の電圧にしてメモリセルトランジスタに印加させる回路とを具備する電気的にデータの消去や書き込みが可能な不揮発性記憶装置の高電圧トリミング値設定方法であって、 データ消去用高電圧もしくはデータ書き込み用高電圧の設計プロファイルにより設計規格に応じた第一の高電圧トリミング値を決定し、 前記第一の高電圧トリミング値により制御された電圧にて所定のデータの消去もしくは所定のデータの書き込みを行い、 その後に当該不揮発性記憶装置から出力される読み出しデータ出力信号を基に前記メモリセルトランジスタのしきい値電圧を測定し、 測定したしきい値電圧と、しきい値電圧とデータ消去用高電圧もしくはしきい値電圧とデータ書き込み用高電圧のトリミングプロファイルとによりしきい値電圧を目標値にする第二の高電圧トリミング値を決定し、 前記第二の高電圧トリミング値を設定値として当該不揮発性記憶装置に保持させる ことを特徴とする不揮発性記憶装置の高電圧トリミング値設定方法。
IPC (8件)：
G11C16/06 ,  G11C16/02 ,  G11C29/00 ,  H01L21/66 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792
FI (10件)：
G11C17/00 632C ,  G11C29/00 652 ,  G11C29/00 655D ,  H01L21/66 B ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  G11C17/00 611A ,  G11C17/00 611E ,  G11C17/00 612B ,  G11C17/00 612E
Fターム (22件)：
4M106AA01 ,  4M106AC07 ,  4M106BA01 ,  4M106CA32 ,  5B025AD04 ,  5B025AD08 ,  5B025AD16 ,  5B025AE08 ,  5B025AF01 ,  5B025AF02 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083ER21 ,  5F083LA10 ,  5F083ZA20 ,  5F101BA01 ,  5F101BB05 ,  5F101BE07 ,  5F101BH26 ,  5L106AA10 ,  5L106DD26 ,  5L106DD31
引用特許：
審査官引用 (5件)
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