特許

J-GLOBAL ID：200903038576506549

III族窒化物単結晶インゴット、III族窒化物単結晶基板、III族窒化物単結晶インゴットの製造方法、及びIII族窒化物単結晶基板の製造方法

発明者： 岡久 拓司 ,  中畑 成二 ,  上村 智喜
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  黒木 義樹 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-016677
公開番号（公開出願番号）：特開2009-173507
出願日： 2008年01月28日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：

【課題】長尺成長時のクラック発生率が低減されたIII族窒化物単結晶インゴットとこのインゴットを用いて製造したIII族窒化物単結晶基板、III族窒化物単結晶インゴットの製造方法、及びIII族窒化物単結晶基板の製造方法を提供する。【解決手段】厚さ方向に垂直な断面が円形であるか、または側面が{10-10}面からなり、厚さ方向に垂直な断面が六角形である主面が(0001)面からなるGaN結晶下地基板10の主面及び側面の気相エッチングを行い、側面から少なくとも1μm以上の厚さの部分を除去したあと、エッチングが行われた下地基板10A上にGaN単結晶11をエピタキシャル成長させる。前記のエッチングにより下地基板の角や側面の加工変質層が除去されるので、GaN単結晶インゴットの周囲にポリ結晶や異面方位結晶が析出するのを抑制する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

下地基板の側面をエッチングする工程と、 側面に結晶面を有する六方晶系のIII族窒化物単結晶を前記下地基板上にエピタキシャル成長させる工程と、 を有することを特徴とするIII族窒化物単結晶インゴットの製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/34

FI (3件)：

C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  C23C16/34

Fターム (22件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EB06 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BA55 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA17

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 国際公開第99/23693号パンフレット
  
• 大面積で均一な低転位密度GaN基板およびその製造プロセス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-540022   出願人：クリーインコーポレイテッド

審査官引用 (4件)

• 結晶成長装置および製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-300446   出願人：株式会社リコー
• III族窒化物の結晶成長方法およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-313692   出願人：株式会社リコー
• バインダーピッチの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-143951   出願人：JFEケミカル株式会社
• 窒化物半導体基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-116372   出願人：日立電線株式会社