特許
J-GLOBAL ID：200903022603364243
窒化物半導体基板及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
油井 透
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-116372
公開番号（公開出願番号）：特開2006-290697
出願日： 2005年04月14日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：
【課題】 窒化物半導体基板に簡便かつ高精度にオリフラを加工する技術、及びインデックスフラットなしに表裏を判別する機能をオリフラに付与する技術を提供することにある。【解決手段】 窒化物半導体の結晶成長中に晶癖によって基板外周部にファセット7を形成し、このファセット面と主面との交線をオリエンテーションフラット18とする。又は、窒化物半導体の結晶成長中に晶癖によって基板外周部にファセット7が形成された自立基板16を作製し、さらにその上に気相成長を行うことにより側面にファセット面を持つインゴットを形成し、次に、そのファセット面を残したままインゴットを所定の外形に研削した後スライスして、ファセット面と主面との交線をオリエンテーションフラットとしてもつ窒化物半導体基板とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
結晶成長中に晶癖によって基板外周部に形成されたファセット面と主面との交線をオリエンテーションフラットとしてもつことを特徴とする窒化物半導体基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
4G077BE15
, 4G077FG13
, 4G077FG14
, 4G077FG16
, 4G077HA02
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (8件)
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