電界効果型トランジスタ並びにそれを用いた液晶表示装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-030307
公開番号（公開出願番号）：特開2004-266272
出願日： 2004年02月06日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：

【課題】キャリア移動度とオンオフ比のいずれも高性能であり汎用性の高い有機高分子半導体を半導体層とする電界効果型トランジスタおよびその電界効果型トランジスタを用いた液晶表示装置を開発する。【解決手段】ソース電極とドレイン電極間に設けた半導体層の導電性を絶縁層を介して設けられたゲート電極によって制御する電界効果型トランジスタであって、該半導体層がカーボンナノチューブを分散した有機高分子半導体で形成され、ディプレッションモードで電流を制御することを特徴とするトランジスタ。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ソース電極とドレイン電極間に設けた半導体層の導電性を絶縁層を介して設けられたゲート電極によって制御する電界効果型トランジスタであって、半導体層がカーボンナノチューブを分散した有機高分子半導体で形成され、ディプレッションモードで電流を制御することを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L29/786 , H01L29/06 , H01L51/00

FI (3件)：

H01L29/78 618B , H01L29/06 601N , H01L29/28

Fターム (25件)：

5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN72

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭64-36076号公報(特許請求の範囲)
特開平1-259563号公報(特許請求の範囲)
電界効果型トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-203670 出願人：日本電気株式会社

全件表示

前のページに戻る