特許
J-GLOBAL ID：200903038629853530
薄膜トランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-006816
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209452
出願日： 1997年01月17日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 薄膜トランジスタの特性を向上させるとともにその製造工程の短縮化等を図る。【解決手段】 基板1上に第1のゲート電極2を形成し、第1のゲート電極2の上側に薄膜半導体4を形成し、薄膜半導体4の上側に、薄膜トランジスタに接続する信号線として用いる材料を成膜する。この材料を、信号線8の形状にパターニングすると同時に第2のゲート電極9の形状にパターニングすることにより、信号線8と第2のゲート電極9とを同時に形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に第1のゲート電極が形成され、前記第1のゲート電極の上側に薄膜半導体が形成され、前記薄膜半導体の上側に第2のゲート電極が形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
引用特許：
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