特許
J-GLOBAL ID:200903038677996865
枚葉式真空処理方法及び装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-149769
公開番号(公開出願番号):特開平11-345771
出願日: 1998年05月29日
公開日(公表日): 1999年12月14日
要約:
【要約】【課題】処理時間の短縮および真空処理後の基板の急激な温度変化を防止して搬送エラーを防止する。【解決手段】ロック室を介して大気中から真空処理室内へまたは真空処理室から大気中へ基板を搬入出可能な枚葉式真空処理方法において、ロック室で処理前の基板を処理に適した温度にまたは処理後の基板を大気中への搬出に適した温度に調節する。
請求項(抜粋):
ロック室を介して大気中から真空処理室内へまたは前記真空処理室から前記大気中へ基板を搬入出可能な枚葉式真空処理方法において、前記ロック室で処理前の基板を処理に適した温度にまたは処理後の基板を大気中への搬出に適した温度に調節することを特徴とする枚葉式真空処理方法。
IPC (5件):
H01L 21/205
, C23C 14/56
, C23C 16/46
, C23F 4/00
, H01L 21/3065
FI (5件):
H01L 21/205
, C23C 14/56 F
, C23C 16/46
, C23F 4/00 A
, H01L 21/302 B
引用特許:
審査官引用 (6件)
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多室型基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-071636
出願人:株式会社東芝
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プラズマ装置の運転方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-156284
出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
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特開平1-292826
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半導体基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-095258
出願人:広島日本電気株式会社
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特開平4-268729
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特開平1-248521
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