特許

J-GLOBAL ID：200903038686070916

半導体製造装置及びこれを用いたウェーハ処理方法

発明者： 田承鎬 ,  李相▲福▼ ,  金東泰
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 大塚 康徳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-241777
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270414
出願日： 1996年09月12日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【課題】リンスによるウォーターマークの発生を防止する。【解決手段】ウェーハを支持するスピンチャックと、スピンチャックの上部に位置した第1供給ノズル及びスピンチャクの下端に連結された第2供給ノズルと、第1及び第2供給ノズルに各々連結された第1及び第2化学溶液供給管と、第1及び第2供給ノズルに各々連結された第1及び第2脱イオン水供給管と、第1供給ノズに連結された親水性化溶液供給管とを備え、疎水性物質を親水性物質に変化させた後にリンスを行うことにより、疎水性物質と親水性物質との境界面で発生するウォーターマークを防止する。

請求項（抜粋）：

ウェーハを支持するスピンチャックと、前記スピンチャックの上部に配された第1供給ノズルと、前記スピンチャックの下端に連結された第2供給ノズルと、前記第1及び第2供給ノズルに夫々連結された第1及び第2化学溶液供給管と、前記第1及び第2供給ノズルに夫々連結された第1及び第2脱イオン水供給管と、前記第1供給ノズルに連結された親水性化溶液の供給管と、を備えることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

H01L 21/306 R ,  H01L 21/304 341 N ,  H01L 21/304 341 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-029516
  
• シリコンウエハーの洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-275071   出願人：ミツミ電機株式会社
• 半導体ウエハの洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-163285   出願人：ソニー株式会社
• 半導体製造方法および半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-210013   出願人：株式会社日立製作所