特許
J-GLOBAL ID：200903038709432306

半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
種谷 元隆

種谷 元隆 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-035638
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233893
出願日： 1998年02月18日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 部分的成長抑制構造を利用して、基板と格子定数または熱膨張係数が異なる連続膜半導体層を形成した上に、さらに半導体発光素子を形成する場合の発光効率の低下および信頼性の悪化を防止する。【解決手段】 成長抑制構造上への結晶成長により得られる成長抑制構造上方領域を含む連続膜半導体層の上に形成された半導体発光素子において、活性層の内、電流注入により光を発生する発光領域が上記成長抑制構造上方領域以外の領域に形成されているようにする。
請求項（抜粋）：
成長抑制構造上への結晶成長により得られる成長抑制構造直上領域を含む連続膜半導体層と、光を発生させる活性層とを有する半導体発光素子であって、該活性層の内、電流注入により光を発生する発光領域が前記成長抑制構造直上領域以外の領域に形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
引用特許：
審査官引用 (4件)
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