特許
J-GLOBAL ID：200903038713488499

電磁場照射装置、該電磁場照射装置を備えた電磁場加工装置、および該電磁場照射装置を備えた記録再生装置

発明者：
藤 寛

藤 寛 について

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北澤 田鶴子

北澤 田鶴子 について

, 
鈴木 一平

鈴木 一平 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-182980
公開番号（公開出願番号）：特開2006-004577
出願日： 2004年06月21日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：
【課題】 記録媒体に対して電磁場を効率よく照射し、高密度な記録を行うことができる、電磁場照射装置を提供する。【解決手段】 電磁場発生素子1において、高屈折率誘電体2、低屈折率誘電体層3、金属層4がこの順で配置する。半導体レーザ22は、電磁場発生素子1に対し、光ビーム6を、高屈折率誘電体2側から、かつ、低屈折率誘電体層3および金属層4にて吸収される入射角度で照射し、低屈折率誘電体層3と金属層4との界面の出射端37から、電磁場を、記録膜21に対して出射させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
光を透過させる誘電体、当該誘電体より低い屈折率を有する低屈折率誘電体層、および金属層がこの順で配置される電磁場発生手段と、 上記電磁場発生手段に対し、入射光を、上記誘電体側から、かつ、上記低屈折率誘電体層および上記金属層にて吸収される入射角度で、照射する照射手段とを有し、 上記低屈折率誘電体層と上記金属層との界面の所定の端部から、電磁場を、記録媒体における記録層に対して出射させることを特徴とする電磁場照射装置。
IPC (3件)：
G11B 7/135 ,  G01N 13/10 ,  G01N 13/14
FI (3件)：
G11B7/135 A ,  G01N13/10 G ,  G01N13/14 A
Fターム (15件)：
5D789AA22 ,  5D789AA38 ,  5D789AA43 ,  5D789BA01 ,  5D789CA06 ,  5D789CA22 ,  5D789EC24 ,  5D789EC50 ,  5D789FA05 ,  5D789JA34 ,  5D789JA64 ,  5D789JA66 ,  5D789LB03 ,  5D789MA06 ,  5D789NA05
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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