特許

J-GLOBAL ID：200903038723603172

化学機械研磨用水系分散体

発明者： 内倉 和一 ,  元成 正之 ,  服部 雅幸 ,  川橋 信夫
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社
代理人 (1件)： 小島 清路
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-302062
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110597
出願日： 2000年10月02日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の被加工膜等を十分な速度で研磨することができ、エロージョンが抑えられ、特に、銅膜の研磨において有用な化学機械研磨用水系分散体を提供する。【解決手段】 砥粒、キノリンカルボン酸、その他の有機酸および酸化剤を含有し、キノリンカルボン酸とその他の有機酸との質量比が1:0.05〜2、特に1:0.1〜1.5、さらには1:0.2〜1である化学機械研磨用水系分散体とする。2-キノリンカルボン酸が好ましく、その他の有機酸としては、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸およびクエン酸等の1分子中に2個以上のカルボキシル基を有するものが使用される。また、酸化剤としては過硫酸塩が用いられ、さらにアニオン系界面活性剤を含有することがより好ましい。

請求項（抜粋）：

砥粒、キノリンカルボン酸、その他の有機酸および酸化剤を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、上記キノリンカルボン酸と上記その他の有機酸との質量比が1:0.05〜2であることを特徴とする化学機械研磨用水系分散体。

IPC (6件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  C09K 13/00

FI (7件)：

H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 X ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 C ,  C09K 3/14 550 Z ,  C09K 3/14 550 M ,  C09K 13/00

Fターム (6件)：

3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 銅系金属用研磨組成物および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-238767   出願人：株式会社東芝, 多摩化学工業株式会社
• 銅系金属用研磨組成物、銅拡散防止材料用研磨組成物および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-143526   出願人：株式会社東芝, 多摩化学工業株式会社
• 化学的機械研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-264089   出願人：芝浦メカトロニクス株式会社
• 銅系金属研磨用スラリーおよび銅系金属膜の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-087300   出願人：芝浦メカトロニクス株式会社, 株式会社東芝
• 特開平4-291723