半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-197817
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045705
出願日： 1995年08月02日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【目的】制御回路付きパワーMOSFETを有する半導体装置の信頼性を向上させる。【構成】制御回路付きパワーMOSFETを有する半導体装置の制御回路を構成する横型MOSFET(Qn)のゲート電極7を耐湿性に優れた窒化シリコン膜8で直接覆うことにより、PSG膜9中の水分がゲート酸化膜6に浸入するのを防止する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板の表面部の第2導電型のウエル内に設けられた第1導電型のソース領域およびドレイン領域と、前記ウエル上にゲート酸化膜を介して設けられたゲート電極とを有する横型MOSFETを備えた半導体装置であって、前記横型MOSFETのゲート電極を窒化シリコン膜で直接覆ったことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/78 658 J , H01L 29/78 301 N , H01L 29/78 652 K

引用特許：

出願人引用 (10件)

特開平2-280356
特開昭51-091676
特開昭61-226930

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審査官引用 (7件)

特開平2-280356
特開昭51-091676
特開昭61-226930

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