特許
J-GLOBAL ID：200903038755956999
III族窒化物の結晶成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-071302
公開番号（公開出願番号）：特開2004-277224
出願日： 2003年03月17日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】実用的な大きさの高品質なIII族窒化物結晶を成長させることが可能なIII族窒化物の結晶成長方法を提供する。【解決手段】反応容器11をヒーター13,14が存在する所定の位置に設置する。次いで、上部ヒーター13と下部ヒーター14に通電し、所定の結晶成長温度まで昇温する。具体的に、下部ヒーター14は、原料GaN17が溶融する温度とし、上部ヒーター13は、原料GaN17が存在する部分の温度よりも温度を下げ、GaNが再析出して結晶成長する温度とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
アルカリ金属を含む融液中にIII族窒化物を溶解し、融液中のIII族窒化物が溶解した場所とは別の場所にIII族窒化物結晶を再結晶化させて成長することを特徴とするIII族窒化物の結晶成長方法。
IPC (3件)：
C30B29/38
, C30B9/10
, C30B19/02
C30B29/38 D
, C30B9/10
, C30B19/02
4G077AA01
, 4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077CC04
, 4G077CG06
, 4G077EA02
, 4G077HA12
, 4G077QA01
, 4G077QA12
, 4G077QA81
