特許
J-GLOBAL ID：200903038792830199

太陽電池およびその製造方法

発明者：
井本 純平

井本 純平 について

, 
宮澤 彰

宮澤 彰 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-217331
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041105
出願日： 2004年07月26日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】 本発明は、低コストで、低抵抗率かつ低接触抵抗率である電極を低温で形成できる太陽電池およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板11の少なくとも一方の主面の表面から内部にかけての領域の少なくとも一部に、p型不純物拡散層14およびn型不純物拡散層12のうち少なくとも一つを形成する工程と、導電性ペースト30をp型不純物拡散層14およびn型不純物拡散層12のそれぞれに接触するように塗布し、600°C以下の温度で焼成して電極40を形成する工程とを含み、導電性ペースト30に含まれる導電性粉末の含有率が、80質量%以上であることを特徴とする太陽電池の製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板内にp型不純物拡散層およびn型不純物拡散層が形成され、前記p型不純物拡散層および前記n型不純物拡散層のそれぞれに接触する電極を有する太陽電池の製造方法であって、 前記半導体基板の少なくとも一方の主面の表面から内部にかけての領域の少なくとも一部に、前記p型不純物拡散層および前記n型不純物拡散層のうち少なくとも一つの不純物拡散層を形成する工程と、導電性粉末、ガラスフリットおよびバインダーを含む導電性ペーストを前記p型不純物拡散層および前記n型不純物拡散層のそれぞれに接触するように塗布し、600°C以下の温度で焼成することにより電極を形成する工程とを含み、 前記導電性ペーストに含まれる導電性粉末の含有率が、80質量%以上であることを特徴とする太陽電池の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 31/04 ,  H01L 21/288
FI (2件)：
H01L31/04 H ,  H01L21/288 Z
Fターム (18件)：
4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB08 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104GG01 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  5F051AA04 ,  5F051BA11 ,  5F051CB20 ,  5F051CB21 ,  5F051DA03 ,  5F051FA10 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (11件)
  • 特開昭54-158189
  • 特開昭54-158189
  • 特開昭54-026676
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