特許
J-GLOBAL ID:200903038805188092
固体素子デバイス
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
平田 忠雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-263098
公開番号(公開出願番号):特開2006-080317
出願日: 2004年09月09日
公開日(公表日): 2006年03月23日
要約:
【課題】 無機材料封止加工を具現化するための課題を抽出、解決し、ガラス封止を行うことで期待できる効果を実際に得ることができ、さらに耐湿性に優れ、ガラス封止時における失透、特性評価時における白濁を生じない固体素子デバイスを提供する。【解決手段】 固体素子デバイスとしての発光装置1は、GaN系LED素子2をマウントしたガラス含有Al2O3基板3に対し、P2O5-ZnO-Li2O系の低融点ガラスを所定の雰囲気中でホットプレス加工することにより、ガラス封止部6が形成されている。ガラス封止部6は、GaN系LED素子2の結晶成長温度に対し充分に低い温度で加工される。このことにより、耐湿性および透明性を備え、素子の熱破壊を生じることなく発光装置1を得ることができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
固体素子と、
前記固体素子に対して電力の受供給を行う電力受供給部と、
前記固体素子を封止し、P2O5を45〜50wt%、ZnOを15〜35wt%含有するP2O5-ZnO系からなる低融点ガラスによって設けられるガラス封止部とを有することを特徴とする固体素子デバイス。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (11件):
5F041AA31
, 5F041CA12
, 5F041CA13
, 5F041CA40
, 5F041DA04
, 5F041DA07
, 5F041DA12
, 5F041DA34
, 5F041DA47
, 5F041DA62
, 5F041DA63
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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オプトエレクトロニクス半導体デバイス及び照明灯又はランプ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-018691
出願人:パテント-トロイハント-ゲゼルシヤフトフユアエレクトリツシエグリユーランペンミツトベシユレンクテルハフツング, シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
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特開昭48-029383
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-250621
出願人:株式会社シチズン電子
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