特許

J-GLOBAL ID：200903038883655985

半導体装置の製造方法

発明者： 八城 充
出願人/特許権者： 旭化成マイクロシステム株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-269969
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116900
出願日： 1996年10月11日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】 エッチバック工程と第2絶縁膜形成工程との間での水分の吸収を妨げることができ、金属配線の信頼性の低下を引き起こさない半導体装置を製造することを目的とする。【解決手段】 半導体素子の形成された基板上に金属配線を形成する工程と、金属配線を覆うように第1絶縁膜を形成する工程と、第1絶縁膜上にSOG膜を形成する工程と、CVD装置のチャンバー内でSOG膜をドライエッチングすることによって平坦化した後同一チャンバー内で第2絶縁膜を形成する工程とを含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体素子の形成された基板上に金属配線を形成する工程と、前記金属配線を覆うように第1絶縁膜を形成する工程と、前記第1絶縁膜上にSOG膜を形成する工程と、CVD装置のチャンバー内で前記SOG膜をドライエッチングすることによって平坦化した後連続して同一チャンバー内で第2絶縁膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 M ,  H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-071823   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-045510   出願人：トヨタ自動車株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-228609   出願人：三洋電機株式会社