特許

J-GLOBAL ID：200903038899994500

サイドウォール除去液

発明者： 緒方 不二麿 ,  杉山 勉 ,  宮原 邦明
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 秋元 輝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-337599
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164597
出願日： 1998年11月27日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 半導体製造工程でのドライエッチングの際に発生するサイドウォールを、低温で、短時間で除去でき、しかもその際に配線材料を浸食することのないサイドウォール除去液を提供する。【解決手段】 (A)アミノアルコール、(B)水酸化テトラアルキルアンモニウム、(C)水、(D)有機溶媒、(E)防食剤からなるサイドウォール除去液を用いる。(A)成分がN-メチルモノエタノールアミンまたはN-メチルジエタノールアミンであり、(B)成分が水酸化テトラメチルアンモニウムであり、(D)成分がエチレングリコールまたはプロピレングリコールなどであり、(E)成分がグルコース、マンノースなどであることが好ましい。

請求項（抜粋）：

半導体製造工程において発生するサイドウォールの除去液であって、(A)アミノアルコール、(B)水酸化テトラアルキルアンモニウム、(C)水、(D)有機溶媒、(E)防食剤からなることを特徴とするサイドウォール除去液。

IPC (2件)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/308

FI (2件)：

H01L 21/88 D ,  H01L 21/308 F

Fターム (11件)：

5F033HH09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ91 ,  5F033XX00 ,  5F043AA40 ,  5F043BB27 ,  5F043BB30 ,  5F043CC16 ,  5F043DD15 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-069746   出願人：三菱瓦斯化学株式会社
• レジスト膜用剥離液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-131744   出願人：ローム株式会社, 関東化学株式会社
• タンタル薄膜回路素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-046624   出願人：シャープ株式会社, 三菱瓦斯化学株式会社