特許
J-GLOBAL ID：200903052177698445
レジスト膜用剥離液
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-131744
公開番号（公開出願番号）：特開平9-319098
出願日： 1996年05月27日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 イリジウムおよびイリジウム化合物を電極材料とし、PZTなどの強誘電体材料からなる薄膜のエッチング後に、レジストからなる側壁保護堆積膜の剥離を容易ならしめるとともに、さらにPZTなどの強誘電体材料からなる薄膜を利用した半導体素子が配線材料などの腐食されやすい材料を有するばあいでも配線材料を腐食しない剥離液を提供する。【解決手段】 (A)水酸化アンモニウム、第4級アンモニウム水酸化物およびアルカノールアミンよりなる群から選ばれた少なくとも1種と(B)水と、必要に応じてさらに(C)糖アルコール、キレート剤および有機溶剤よりなる群から選ばれた少なくとも1種とからなるレジスト膜用剥離液。
請求項（抜粋）：
イリジウムとイリジウム化合物からなる下部電極、強誘電体材料からなる薄膜およびイリジウムとイリジウム化合物からなる上部電極からなるキャパシタの製造工程における、該強誘電体材料からなる薄膜をドライエッチングしたのちの該薄膜の側壁に残存しているレジストからなる側壁保護堆積膜の剥離液であって、(A)水酸化アンモニウム、第4級アンモニウム水酸化物およびアルカノールアミンよりなる群から選ばれた少なくとも1種と(B)水からなるレジスト膜用剥離液。
IPC (7件)：
G03F 7/42
, C11D 7/06
, C11D 7/26
, C11D 7/32
, C11D 7/50
, H01L 21/027
, H01L 21/308
G03F 7/42
, C11D 7/06
, C11D 7/26
, C11D 7/32
, C11D 7/50
, H01L 21/308 E
, H01L 21/30 572 B
