特許
J-GLOBAL ID：200903038986748736
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-231927
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074417
出願日： 1997年08月28日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 熱膨張による熱ストレスが生じてもはんだバンプの断線や半導体チップのはがれのない信頼性の高いBGA構造の半導体装置を提供する。【解決手段】 積層された複数の絶縁層、該複数の絶縁層それぞれの上面に設けられた複数の配線、および異なる絶縁層上面に設けられた複数の配線を電気的に接続するために絶縁層に設けられた複数のビアホールからなるBGA基板と、前記複数の配線にそれぞれ接続される複数の電極を有する半導体チップとを含んでなる半導体装置であって、前記複数の絶縁層の材料が、半導体装置が実装される実装基板の熱膨張特性にあわせられた有機系材料からなる半導体装置。
請求項（抜粋）：
積層された複数の絶縁層、該複数の絶縁層それぞれの上面に設けられた複数の配線、および異なる絶縁層上面に設けられた複数の配線を電気的に接続するために絶縁層に設けられた複数のビアホールからなるBGA基板と、前記複数の配線にそれぞれ接続される複数の電極を有する半導体チップとを含んでなる半導体装置であって、前記複数の絶縁層の材料が、半導体装置が実装される実装基板の熱膨張特性にあわせられた有機系材料からなる半導体装置。
引用特許：
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