特許
J-GLOBAL ID：200903039027849635
半導体発光装置
出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社
サンケン電気株式会社 について
代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-122583
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015815
出願日： 2000年04月24日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 静電破壊防止用素子を伴なった窒化ガリウム系半導体発光装置の小型化及び高効率化を容易に達成することが困難であった。【解決手段】 リード部材22に平坦な素子搭載面27を形成する。この素子搭載面27の上に静電破壊防止用の定電圧ダイオード素子21を固着する。定電圧ダイオード素子21の上面に貫通孔59を有する光反射板24を配置する。光反射板24の貫通孔59の中に発光ダイオードチップ20を配置し、発光ダイオードチップ20を定電圧ダイオード素子21の電極33、34に接続する。
請求項（抜粋）：
半導体発光素子と、この半導体発光素子を保護するための保護素子と、前記半導体発光素子から放射された光を特定方向に反射させるための光反射板と、外部接続用リード部材とを備えた半導体発光装置であって、前記リード部材の端部に平坦な素子搭載面が形成され、前記保護素子が前記素子搭載面に搭載され、前記光反射板及び前記半導体発光素子が前記保護素子の上に配置されていることを特徴とする半導体発光装置。
Fターム (13件)：
5F041AA06
, 5F041AA23
, 5F041DA04
, 5F041DA09
, 5F041DA13
, 5F041DA16
, 5F041DA19
, 5F041DA32
, 5F041DA36
, 5F041DA39
, 5F041DA43
, 5F041DA83
, 5F041EE23
引用特許：
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