特許
J-GLOBAL ID:200903000654297695

フルカラー複合半導体発光素子及びこれを用いた発光装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 滝本 智之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-114689
公開番号(公開出願番号):特開平11-307818
出願日: 1998年04月24日
公開日(公表日): 1999年11月05日
要約:
【要約】【課題】 電気的接続が簡単で且つ静電気やサージ等の高電圧の印加に対する耐圧を向上し得るフルカラー発光が可能な発光素子及びこれを用いた発光装置を提供すること。【解決手段】 リードフレームまたは基板に導通接続された静電気保護用のSiダイオード3の上に赤,緑,青の各色の半導体発光素子5,6,7を導通搭載するフルカラーの複合半導体発光素子であって、緑及び青の半導体発光素子6,7をGaNを含むフリップチップ型の発光素子とするとともにそのn側及びp側の電極にマイクロバンプ6d,6eを形成し、これらのn側及びp側のマイクロバンプを前記Siダイオードと逆極性として導通させる。
請求項(抜粋):
リードフレームまたは基板に導通接続された静電気保護用のSiダイオードと、このSiダイオードの上に導通搭載される赤,緑,青の各色の半導体発光素子との組み合わせからなるフルカラーの複合半導体発光素子であって、前記緑色及び青色の半導体発光素子をGaNを含むフリップチップ型の半導体発光素子とするとともにそのn側及びp側の電極にマイクロバンプを形成し、これらのn側及びp側のマイクロバンプを前記Siダイオードと逆極性として導通させてなるフルカラー複合半導体発光素子。
引用特許:
審査官引用 (10件)
  • 特開昭59-188181
  • 化合物半導体気相成長方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-194211   出願人:住友電気工業株式会社
  • 特表平5-500737
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