特許
J-GLOBAL ID：200903039060935237

電気素子内蔵モジュール及びその製造方法

発明者：
中谷 誠一

中谷 誠一 について

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別所 芳宏

別所 芳宏 について

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菅谷 康博

菅谷 康博 について

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大西 慶治

大西 慶治 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-027218
公開番号（公開出願番号）：特開2004-208326
出願日： 2004年02月03日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】 機械的強度を備えながら薄型化することが可能な、半導体チップや弾性表面波素子などの電気素子を内蔵したモジュール及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 配線パターン201に、2以上の電気素子203を実装し、電気素子203を熱硬化性樹脂組成物204で封止する。2以上の電気素子203の上面と熱硬化性樹脂組成物204の上面とを同時に研磨することにより略同一面を形成する。熱硬化性樹脂組成物204で封止した状態で研磨するので、電気素子203を損傷することなく、薄型化できる。また、研磨液による電気素子203や配線パターン201の汚染を防止できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
配線パターンと、前記配線パターンに実装された弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子を封止する熱硬化性樹脂組成物とを備え、 前記弾性表面波素子の機能部とは反対側の面と前記熱硬化性樹脂組成物の上面とが同一面を形成していることを特徴とする電気素子内蔵モジュール。
IPC (5件)：
H03H3/08 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H03H9/25
FI (4件)：
H03H3/08 ,  H01L21/56 R ,  H03H9/25 A ,  H01L23/30 R
Fターム (19件)：
4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA21 ,  4M109EA02 ,  4M109EA11 ,  4M109EB12 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13 ,  5J097AA30 ,  5J097BB15 ,  5J097EE05 ,  5J097HA04 ,  5J097HA09 ,  5J097JJ04 ,  5J097JJ06 ,  5J097KK10 ,  5J097LL08
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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