特許
J-GLOBAL ID：200903039103795264

半導体装置及びその製造方法

発明者：
大角 卓史

大角 卓史 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-234532
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128625
出願日： 2005年08月12日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】小型化が進む発光素子及び受光素子を有する半導体装置において、最終形状がより小型化された半導体装置を提供するとともに、長期信頼性にも優れた半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、光を透過する基板と基板に設けられた配線層と配線層上に形成された半導体チップと柱状電極と封止材と配線層及び突起電極を介して半導体チップに電気的に接続する外部接続用端子とを有する半導体装置を提供する。前記半導体装置はダイシングによって形成される基板及び封止材の2層のみによって構成された切断面を有し、前記切断面は封止材が一工程で形成される単一層であるため封止材の間から水分等が浸入することなく腐食、動作不良に強い半導体装置を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の面及び該第1の面に対向する第2の面を有し、該第1の面と該第2の面とに亘り光を透過する基板と、 前記基板の前記第1の面に設けられ、第1の領域と該第1の領域に隣接する第2の領域とを有する配線層と、 第3の領域と該第3の領域を囲む第4の領域を有する主面を有し、前記配線層の前記第1の領域上に形成されるとともに該配線層と該第4の領域とを電気的に接続する半導体チップと、 第3の面及び該第3の面に対向する第4の面を有する柱状形状を有し、該第3の面が前記配線層の前記第2の領域に設けられ該配線層と電気的に接続する柱状電極と、 前記柱状電極の前記第4の面及び前記半導体チップの前記第3の領域を露出させるように前記基板の前記第1の面上を覆う、単一の樹脂からなる封止材と、 前記柱状電極の前記第4の面に設けられ該柱状電極と電気的に接続する外部接続用端子と、 を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 23/02 ,  H01L 27/14 ,  H04N 5/335 ,  H01L 33/00 ,  H01L 31/02
FI (6件)：
H01L23/02 B ,  H01L27/14 D ,  H04N5/335 U ,  H04N5/335 V ,  H01L33/00 N ,  H01L31/02 B
Fターム (29件)：
4M118AA08 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118FA06 ,  4M118GD03 ,  4M118HA02 ,  4M118HA03 ,  4M118HA24 ,  4M118HA26 ,  4M118HA31 ,  4M118HA33 ,  5C024CY47 ,  5C024GY01 ,  5C024GY31 ,  5C024HX01 ,  5F041AA34 ,  5F041AA43 ,  5F041AA47 ,  5F041DA09 ,  5F041DA35 ,  5F041DA43 ,  5F041DA55 ,  5F041DA57 ,  5F088BA15 ,  5F088JA03 ,  5F088JA07 ,  5F088JA12
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
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