ドープされたhigh-kサイドウォールスペーサを有す電界効果トランジスタのドレイン/ソース拡張構造

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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：鈴木正剛 , 佐野良太 , 村松義人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-570755
公開番号（公開出願番号）：特表2006-508548
出願日： 2003年11月06日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：

high-kスペーサエレメントから、下にある半導体領域へドーパント拡散することにより形成される拡張領域と併せて、電界効果トランジスタのゲート電極のhigh-k誘電体スペーサエレメントは、拡張領域に電荷担体密度の増加を提供する。このようにして、電荷担体密度を、略拡張領域のドーパントの固溶度に限定することが克服され、これにより、トランジスタのパフォーマンスを過度に落とすことなく、極めて浅い拡張領域が可能になる。

請求項（抜粋）：

電界効果トランジスタを形成する方法であって、アクティブ領域203に形成されてこのアクティブ領域203からゲート絶縁層206により離間されているゲート電極205を備えた基板201に、ドープされたhigh-k誘電体層220を形成するステップと、前記high-k誘電体層220から前記活性領域203へドーパントを拡散して拡張領域208を形成するように、前記基板を熱処理するステップと、前記ゲート電極205のサイドウォールで、サイドウォールスペーサ210を形成するために、前記high-k誘電体層220をパターニングするステップと、前記電界効果トランジスタのソース及びドレイン領域211を形成するために、注入マスクとして前記サイドウォールスペーサ210を用いて、イオン注入プロセス212を実施するステップと、を有する方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L29/78 301G , H01L29/78 617J , H01L29/78 616A

Fターム (45件)：

5F110AA30 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE31 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG28 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ16 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HM15 , 5F110NN62 , 5F140AA13 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG09 , 5F140BG11 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG50 , 5F140BG51 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BG54 , 5F140BH14 , 5F140BH49 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK03 , 5F140BK13 , 5F140BK16 , 5F140BK21 , 5F140CB04

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-273348 出願人：日本電気株式会社
特開平4-320036
MIS型電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-196774 出願人：株式会社日立製作所

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