発熱体付きメモリ記憶デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：坂口博 , 市位嘉宏 , 上野剛史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-500299
公開番号（公開出願番号）：特表2005-524225
出願日： 2002年11月15日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：

【課題】可変磁気領域を有する記憶セルを含むメモリ記憶デバイスを提供すること。【解決手段】可変磁気領域は、温度変化に応答する磁化状態を有する材料を含む。また、本メモリ記憶デバイスは発熱体を含む。発熱体は、記憶セルの可変磁気領域の温度を選択的に変えるように記憶セルに近接している。直接に電流を流して記憶セルを加熱するのとは対照的に、発熱体を介して記憶セルを加熱することで、記憶セルの製造により多くの自由度が与えられる。

請求項（抜粋）：

メモリ記憶デバイスであって、 a)温度変化に応答する磁化状態を有する材料を含む可変磁気領域を備える記憶セルと、 b)前記記憶セルの前記可変磁気領域の温度を選択的に変えるための、前記記憶セルに近接した発熱体と、を備えるメモリ記憶デバイス。

IPC (3件)：

H01L27/105 , G11C11/15 , H01L43/08

FI (3件)：

H01L27/10 447 , G11C11/15 112 , H01L43/08 Z

Fターム (5件)：

5F083FZ10 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA60

引用特許：

出願人引用 (3件)

米国特許第5,650,958号
米国特許第5,640,343号
米国特許出願番号第09/708,253号

審査官引用 (5件)

磁気メモリデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-084554 出願人：名古屋大学長, 三洋電機株式会社
磁性薄膜メモリ素子および磁性薄膜メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-301614 出願人：山崎陽太郎, ティーディーケイ株式会社
磁気記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-097889 出願人：株式会社東芝

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