特許

J-GLOBAL ID：200903039139293044

半導体デバイスおよびCMOSデバイス

発明者： 葛 崇▲ふう▼ ,  柯 誌欣 ,  陳 宏▲うぇ▼ ,  李 文欽 ,  季 明華
出願人/特許権者： 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司
代理人 (4件)： 牛木 護 ,  清水 栄松 ,  外山 邦昭 ,  吉田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-237361
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073960
出願日： 2006年09月01日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

【課題】NMOSとPMOSのショットキー障壁を低くするCMOSデバイスを提供する。【解決手段】半導体デバイスは基板を備え、当該基板は第1の領域と第2の領域とを有し、第1の領域は、{i,j,k}から成るミラー指数群により表される第1の結晶方位を有すると共に、前記第2の領域は、{l,m,n}から成るミラー指数群により表される第2の結晶方位を有し、l2+m2+n2>i2+j2+k2である。別な実施例では、第1領域に形成されるNMOSFETと、この第2の領域に形成されるPMOSFETと、をさらに備える。各実施例では、NMOSFETとPMOSFETの内の少なくとも一つで形成されるシットキー接触部をさらに備えている。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

第1の領域と第2の領域とを有し、前記第1の領域は、{i,j,k}から成るミラー指数群により表される第1の結晶方位を有すると共に、前記第2の領域は、{l,m,n}から成るミラー指数群により表される第2の結晶方位を有し、l2+m2+n2>i2+j2+k2である基板と、 前記第1の領域上に形成されたNMOSFETと、 前記第2の領域上に形成されたPMOSFETと、 前記基板で形成された類似ショットキー(Schottky-like)接触部と、 から構成されることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (7件)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/08 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872

FI (10件)：

H01L27/08 321E ,  H01L27/08 321F ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/78 620 ,  H01L29/78 616S ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/48 M ,  H01L27/08 321B

Fターム (94件)：

4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB19 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104CC03 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104FF01 ,  4M104FF04 ,  4M104FF06 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AC03 ,  5F048BA10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BB04 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BC15 ,  5F048BC18 ,  5F048BD06 ,  5F048BD09 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF16 ,  5F048BF17 ,  5F048BG13 ,  5F110AA01 ,  5F110AA07 ,  5F110AA15 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD11 ,  5F110DD14 ,  5F110DD21 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE22 ,  5F110EE30 ,  5F110EE31 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG17 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ01 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HM20 ,  5F110NN65 ,  5F110NN77 ,  5F110NN78

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-096996   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 特開平4-372166
  
• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-306717   出願人：株式会社東芝
• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-251534   出願人：株式会社東芝