特許
J-GLOBAL ID：200903039140077266

半導体装置とその製造方法

発明者：
上杉 勉

上杉 勉 について

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上田 博之

上田 博之 について

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副島 成雅

副島 成雅 について

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加地 徹

加地 徹 について

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杉本 雅裕

杉本 雅裕 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について

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トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-330123
公開番号（公開出願番号）：特開2006-140368
出願日： 2004年11月15日
公開日（公表日）： 2006年06月01日
要約：
【課題】 結晶欠陥が存在する半導体層を備える半導体装置において、低耐圧化の抑制あるいはリーク電流の発生の抑制を実現する。【解決手段】 電源の一方の極性に接続するドレイン電極22及び半導体基板32と、非被覆領域55を残して半導体基板32の表面を被覆している電流規制層42と、その電流規制層42の表面を被覆している半導体層(ドリフト層56、チャネル層54、ソース層52)と、ソース層52の表面に形成されており、電源の他方の極性に接続するソース電極62を備えている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電源の一方の極性に接続する第1導電層と、 非被覆領域を残して前記第1導電層の表面を被覆している電流規制層と、 その電流規制層の表面を被覆している半導体層と、 前記非被覆領域を利用して前記第1導電層と前記半導体層を導通させる導電性領域と、 前記半導体層の非被覆領域から遠い側の表面に形成されており、前記電源の他方の極性に接続する第2導電層を備えており、 前記半導体層には、非被覆領域に近い側を前記一方の極性に接続し、非被覆領域から遠い側を前記他方の極性に接続することによって作動する機能性半導体構造が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 29/80 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338
FI (9件)：
H01L29/80 V ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652Z ,  H01L29/91 D ,  H01L29/91 F ,  H01L29/91 Z ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 L
Fターム (20件)：
5F102FA01 ,  5F102GA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GC07 ,  5F102GC08 ,  5F102GD01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR09 ,  5F102GS07 ,  5F102GT08 ,  5F102HC02 ,  5F102HC11 ,  5F102HC16
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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