特許
J-GLOBAL ID：200903039147193261

積層構造体、発光素子、ランプ、及び光源

発明者：
宇田川 隆

宇田川 隆 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (1件)： 柿沼 伸司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-247523
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060225
出願日： 2001年08月17日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課題】含硼素III-V族化合物半導体層からなる障壁層上に、量子井戸構造からなる発光層を構成するに際し、単色性に優れる発光をもたらすに好適となる発光層の構成を示す。【解決手段】含硼素III-V族化合物半導体からなる障壁層上に設けられたIII-V族化合物半導体からなる活性層を備えた積層構造体において、活性層が、含硼素III-V族化合物半導体からなるバリア層とIII族窒化物半導体からなる井戸層とから構成される量子井戸構造を有する。
請求項（抜粋）：
単結晶の基板上に設けられた非晶質または多結晶の硼素(B)を含むIII-V族化合物半導体(含硼素III-V族化合物半導体)からなる緩衝層と、緩衝層上に設けられた含硼素III-V族化合物半導体からなる障壁層と、障壁層上に設けられたIII-V族化合物半導体からなる活性層とを備えた積層構造体において、該活性層が、含硼素III-V族化合物半導体からなるバリア(barrier)層とIII族窒化物半導体からなる井戸(well)層とから構成される量子井戸構造からなることを特徴とする積層構造体。
FI (2件)：
H01L 33/00 B ,  H01L 33/00 C
Fターム (7件)：
5F041AA11 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65
引用特許：
審査官引用 (7件)
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