特許
J-GLOBAL ID:200903039153529930
ArFエキシマレーザ及びスキャン式露光機
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-167999
公開番号(公開出願番号):特開2000-357838
出願日: 1999年06月15日
公開日(公表日): 2000年12月26日
要約:
【要約】【課題】 装置の大型化を伴わずにパルス周波数を高くすることが可能なArFエキシマレーザ、及びこのような高パルス周波数ArFエキシマレーザを光源とした露光機を得る。【解決手段】 ウェハ上の半導体チップを複数の照射領域46に分割し、この照射領域46ごとにレーザ光11を複数パルス照射し、1つの照射領域46の露光が終了すると次の照射領域46を露光するようにして半導体チップ全体を露光するスキャン式露光機において、レーザ光11を発振する光源としてレーザガス中のバッファガスがHeを主成分とし、好ましくはこのレーザガス中にXeが含まれていることを特徴とするArFエキシマレーザ1を使用するスキャン式露光機。
請求項(抜粋):
放電電極(5,5)間に放電を起こしてレーザガスを励起し、狭帯域化されたレーザ光(11)を発振するArFエキシマレーザにおいて、レーザガス中のバッファガスがHeを主成分とすることを特徴とするArFエキシマレーザ。
IPC (4件):
H01S 3/225
, G03F 7/20 502
, G03F 7/23
, H01L 21/027
FI (5件):
H01S 3/223 E
, G03F 7/20 502
, G03F 7/23 H
, H01L 21/30 515 B
, H01L 21/30 518
Fターム (12件):
2H097CA13
, 2H097GB01
, 2H097LA10
, 5F046AA05
, 5F046AA11
, 5F046BA04
, 5F046CA04
, 5F046CC04
, 5F071AA06
, 5F071BB05
, 5F071GG05
, 5F071JJ05
引用特許:
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