特許
J-GLOBAL ID:200903039154183638

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-181876
公開番号(公開出願番号):特開2001-015509
出願日: 1999年06月28日
公開日(公表日): 2001年01月19日
要約:
【要約】【課題】半導体チップに対する占有面積の増大を防止して、配線間に所要の容量を付加することが困難であった。【解決手段】第1、第2の配線11、12に設けられた容量部13は、複数の第1、第2の凸部11a、12aを有している。これら第1、第2の凸部11a、12aは交互に配置され、これら第1、第2の凸部11a、12aの隣接配線容量により所要の容量を形成している。これら第1、第2の凸部11a、12aは第1、第2の配線11、12の相互間の領域に形成されている。このため、容量部13の半導体チップに対する占有面積の増大を防止して所要の容量を形成できる。
請求項(抜粋):
第1の配線と、前記第1の配線に平行して配置された第2の配線と、前記第1及び第2の配線を平行分割し、平行分割された第1及び第2の配線が交互に設けられる領域を具備することを特徴とする半導体装置。
Fターム (10件):
5F033HH08 ,  5F033MM21 ,  5F033MM23 ,  5F033MM28 ,  5F033VV04 ,  5F033VV05 ,  5F033VV10 ,  5F033XX03 ,  5F033XX23 ,  5F033XX25
引用特許:
審査官引用 (4件)
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