特許
J-GLOBAL ID：200903039154444075

半導体量子ドット素子とその製造方法

発明者：
斎藤 英彰

斎藤 英彰 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 勝 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-363281
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188443
出願日： 1998年12月21日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：
【要約】【課題】 高均一なサイズ分布を持つ半導体量子ドット構造をつくり、量子ドットの狭い状態密度を反映した高性能な量子ドットデバイスを実現する。【解決手段】 GaAs層上に歪み緩和を利用して形成したInAsドットをGaAs膜でドットの厚さ以下の厚さまで埋め込む。このドットを熱エッチングで取り除いて形成した孔を満たすようにInGaAsを層状成長させる。孔の深さ以上までInGaAsを層状成長させることによって、表面が平坦となり、孔部に厚さの均一なInGaAs量子ドットが高密度に形成される。この量子ドットを使って量子ドットデバイスを作製することにより、例えば低しきい値電流で発振する量子ドットレーザが実現される。
請求項（抜粋）：
第1の半導体からなる半導体膜中に構成された第2の半導体からなるドット構造をエッチングすることによって形成した孔と、この孔を埋めるように形成した第3の半導体からなる量子ドット構造を備えることを特徴とする、半導体量子ドット素子。
IPC (4件)：
H01S 5/343 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/201 ,  H01L 29/80
FI (4件)：
H01S 3/18 677 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/201 ,  H01L 29/80 A
Fターム (19件)：
5F073AA21 ,  5F073AA75 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB10 ,  5F073CB11 ,  5F073DA06 ,  5F073DA22 ,  5F073DA35 ,  5F073EA23 ,  5F102FB07 ,  5F102FB10 ,  5F102GB04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL04 ,  5F102GQ04 ,  5F102GR06 ,  5F102HC01 ,  5F102HC21
引用特許：
審査官引用 (7件)
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