特許
J-GLOBAL ID：200903039192724502
レジストアッシング方法およびレジストアッシング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-237795
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068247
出願日： 1998年08月24日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】【課題】 従来のレジストアッシング方法においては、素子の特性が劣化することやバースト現象が発生することを避けるために基板温度を一定温度以下に維持してアッシングを行うと、アッシングレートが小さくなり、アッシング工程に要する時間が長くなってしまう。【解決手段】 本発明のレジストアッシング方法は、表面にレジスト層が形成された基板を提供する工程と、少なくとも酸素と希ガスとを含む0.1気圧以上10気圧以下の混合ガスに高周波電圧を印加することによってプラズマを発生させる工程と、レジスト層を除去する工程とを包含する。
請求項（抜粋）：
表面にレジスト層が形成された基板を提供する工程と、少なくとも酸素と希ガスとを含む0.1気圧以上10気圧以下の混合ガスに高周波電圧を印加することによってプラズマを発生させる工程と、該レジスト層を除去する工程とを包含するレジストアッシング方法。
Fターム (11件)：
5F004AA06
, 5F004BA06
, 5F004BA20
, 5F004BB25
, 5F004BB32
, 5F004BD01
, 5F004DA00
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DB26
