特許
J-GLOBAL ID：200903039229338381

反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク及びその製造方法並びに半導体素子の製造方法

発明者：
金山 浩一郎

金山 浩一郎 について

, 
松尾 正

松尾 正 について


出願人/特許権者：
凸版印刷株式会社

凸版印刷株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-053350
公開番号（公開出願番号）：特開2009-099931
出願日： 2008年03月04日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：
【課題】吸収体の膜厚を低減した反射型フォトマスクを用いて転写を行うことにより、射影効果の影響が緩和され解像性などの転写性能が向上した反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク及びその製造方法並びに半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】基板と、基板上に形成された多層反射膜と、多層反射膜上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成された吸収体層と、を備え、吸収体層は、錫(Sn)及び酸素(O)を含む化合物材料を有する薄膜であることを特徴とする反射型フォトマスクブランク。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に形成された多層反射膜と、 前記多層反射膜上に形成されたバッファ層と、 前記バッファ層上に形成された吸収体層と、を備え、 前記吸収体層は、錫(Sn)及び酸素(O)を含む化合物材料を有する薄膜であることを特徴とする反射型フォトマスクブランク。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/16
FI (2件)：
H01L21/30 531M ,  G03F1/16 A
Fターム (6件)：
2H095BA10 ,  2H095BC05 ,  2H095BC20 ,  5F046GA03 ,  5F046GD01 ,  5F046GD02
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 反射型露光マスク
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-048654   出願人：沖電気工業株式会社, 株式会社日立製作所, 富士通株式会社
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM