特許
J-GLOBAL ID：200903041220002806
反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、及びこれを用いた半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-002940
公開番号（公開出願番号）：特開2006-190900
出願日： 2005年01月07日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：
【課題】EUV光露光反射率のみならず、パターン検査におけるDUV光露光反射率が十分に低く、十分な反射率コントラストが得られ、精度の高い検査及び精度の高いマスクパターン転写が可能な反射型フォトマスクを得る。【解決手段】基板上に、多層反射膜と、少なくともインジウムを含有する光吸収膜を有する光吸収層とを積層する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に設けられた多層反射膜と、該多層反射膜上に設けられ、インジウムを含有する光吸収膜を有する光吸収層とを具備することを特徴とする反射型フォトマスクブランク。
IPC (5件)：
H01L 21/027
, G02B 5/08
, G03F 1/08
, G03F 7/20
, G21K 1/06
H01L21/30 531M
, G02B5/08 A
, G03F1/08 G
, G03F7/20 521
, G21K1/06 B
, G21K1/06 C
2H042DA08
, 2H042DA10
, 2H042DA12
, 2H042DA14
, 2H042DA17
, 2H095BA01
, 2H095BA10
, 2H095BB02
, 5F046GA03
, 5F046GD20
出願人引用 (2件)
審査官引用 (15件)
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