特許

J-GLOBAL ID：200903039281115633

フォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 野嶋 茂樹 ,  三本木 省次 ,  田中 聡 ,  小谷 敏也 ,  長谷部 茂 ,  橋本 耕治 ,  井上 壮一 ,  池永 修
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (7件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-350333
公開番号（公開出願番号）：特開2004-184633
出願日： 2002年12月02日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：

【課題】フォトマスクの良否を判定する際に用いる管理箇所を適切に抽出することが可能なフォトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】マスク基板上に形成すべきマスクパターンのデータを用意する工程と、データに基づいて、マスクパターンに含まれる複数のパターンそれぞれについて、パターンエッジが変動したときに設定すべき露光量の適正露光量からのずれ量に対応したエッジ移動感度を算出する工程と、算出されたエッジ移動感度に基づいて、マスク基板上に形成すべきマスクパターンの管理箇所を特定する工程と、マスク基板上にマスクパターンを実際に形成する工程と、マスク基板上に形成されたマスクパターンの管理箇所に対応した領域に含まれるパターンの寸法を取得する工程と、取得された寸法に基づいて、マスク基板上に形成されたマスクパターンが所定の条件を満たしているか否かを判定する工程と、を備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

マスク基板上に形成すべきマスクパターンのデータを用意する工程と、 前記データに基づいて、前記マスクパターンに含まれる複数のパターンそれぞれについて、パターンエッジが変動したときに設定すべき露光量の適正露光量からのずれ量に対応したエッジ移動感度を算出する工程と、 前記算出されたエッジ移動感度に基づいて、前記マスク基板上に形成すべきマスクパターンの管理箇所を特定する工程と、 前記マスク基板上にマスクパターンを実際に形成する工程と、 前記マスク基板上に形成されたマスクパターンの前記管理箇所に対応した領域に含まれるパターンの寸法を取得する工程と、 前記取得された寸法に基づいて、前記マスク基板上に形成されたマスクパターンが所定の条件を満たしているか否かを判定する工程と、 を備えたことを特徴とするフォトマスクの製造方法。

IPC (3件)：

G03F1/08 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

FI (4件)：

G03F1/08 A ,  G03F1/08 S ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 502P

Fターム (4件)：

2H095BA01 ,  2H095BB02 ,  2H095BB36 ,  2H095BD03

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 露光マスクの検査方法および測長箇所を探索するプログラムを記録した記録媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-249867   出願人：株式会社東芝
• マスクパターン補正方法、フォトマスク及びマスクパターン補正方法プログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-339332   出願人：株式会社東芝
• マスクパターン補正方法及びマスクパターン作成システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-375477   出願人：株式会社東芝
• マスクパターンの補正方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-185856   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (3件)

• 露光マスクの検査方法および測長箇所を探索するプログラムを記録した記録媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-249867   出願人：株式会社東芝
• マスクパターン補正方法、フォトマスク及びマスクパターン補正方法プログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-339332   出願人：株式会社東芝
• マスクパターン補正方法及びマスクパターン作成システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-375477   出願人：株式会社東芝