特許
J-GLOBAL ID：200903039326449767

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
藤尾 良輔

藤尾 良輔 について

, 
渡辺 一央

渡辺 一央 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-127828
公開番号（公開出願番号）：特開2000-322895
出願日： 1999年05月07日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 データの書き込み時間・読み出し時間を短縮し、データの検出マージンを確保し、高密度化を実現する。【解決手段】 開示される不揮発性半導体記憶装置は、オン状態のリファレンス・セル611と、オフ状態のリファレンス・セル612と、メモリ・セル31nのデータを読み出すための信号によりオンしてメモリ・セル31nに電流を供給する駆動トランジスタ51nと同一の構造及び同一の特性を有し、上記信号によりオンしてリファレンス・セル611及び612に電流を供給する駆動トランジスタ651及び652と、駆動トランジスタ51nの出力電圧VMnが第1の入力端に供給され、駆動トランジスタ651及び652の出力電圧VRon及びVRoffの平均(VRon+VRoff)/2が第2の入力端に供給されるセンス・アンプ43nとを備えてなる。
請求項（抜粋）：
メモリ・セルのデータの記憶状態に応じた電圧と、リファレンス・セルの疑似的なデータの記憶状態に応じた電圧との電圧差に基づいて、前記メモリ・セルに記憶されたデータが読み出される不揮発性半導体記憶装置であって、前記リファレンス・セルは、前記疑似的なデータが書き込まれた状態の第1のリファレンス・セルと、前記疑似的なデータが消去された状態の第2のリファレンス・セルとからなり、前記データを読み出すための信号によりオンして前記メモリ・セルに電流を供給する第1の駆動トランジスタと同一の構造及び同一の特性を有し、前記信号によりオンして前記第1及び第2のリファレンス・セルに電流を供給する第2及び第3の駆動トランジスタと、前記第1の駆動トランジスタの出力電圧が第1の入力端に供給され、前記第2及び第3の駆動トランジスタの出力電圧の平均が第2の入力端に供給され、前記電圧差を検出するセンス・アンプとを備えてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
Fターム (9件)：
5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD03 ,  5B025AD04 ,  5B025AD06 ,  5B025AD07 ,  5B025AE05 ,  5B025AE08
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 特開昭62-071098
  • EEPROM装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-195094   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
  • 特開平3-242898
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審査官引用 (6件)
  • 特開平3-242898
  • 特開昭62-071098
  • EEPROM装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-195094   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
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