特許

J-GLOBAL ID：200903039334487260

セラミックヒータ素子およびガスセンサ

発明者： 米山 健一 ,  秋山 雅英
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-365009
公開番号（公開出願番号）：特開2006-170862
出願日： 2004年12月16日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：

【課題】機械的な衝撃に強く、高温昇温での破損を抑制したセラミックヒータ素子およびそれを用いたガスセンサを提供する。【解決手段】少なくとも緻密な第一の絶縁体1aと、該第一の絶縁体1aに積層された緻密な第二の絶縁体1bと、前記第一の絶縁体1aと第二の絶縁体1bとの積層面3に形成された断面が扁平な発熱体5と、を具備してなる長尺状のセラミックヒータ素子9であって、前記セラミックヒータ素子9の長手方向に対して垂直方向の断面において、前記発熱体5の断面の長軸と平行な前記発熱体5の主面と、前記第一の絶縁体1aと第二の絶縁体1bのうち少なくとも一方との間に空隙15が形成されてなることを特徴とする。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

少なくとも緻密な第一の絶縁体と、該第一の絶縁体に積層された緻密な第二の絶縁体と、前記第一の絶縁体と第二の絶縁体との積層面に形成された断面が扁平な発熱体と、を具備してなる長尺状のセラミックヒータ素子であって、前記セラミックヒータ素子の長手方向に対して垂直方向の断面において、前記発熱体の断面の長軸と平行な前記発熱体の主面と、前記第一の絶縁体と第二の絶縁体のうち少なくとも一方との間に空隙が形成されてなることを特徴とするセラミックヒータ素子。

IPC (5件)：

G01N 27/409 ,  G01N 27/26 ,  H05B 3/10 ,  H05B 3/20 ,  H05B 3/28

FI (5件)：

G01N27/58 B ,  G01N27/26 391B ,  H05B3/10 A ,  H05B3/20 393 ,  H05B3/28

Fターム (30件)：

2G004BB04 ,  2G004BD04 ,  2G004BE04 ,  2G004BF05 ,  2G004BF09 ,  2G004BJ03 ,  2G004BJ10 ,  2G004BL18 ,  2G004BM07 ,  3K034AA02 ,  3K034AA22 ,  3K034AA34 ,  3K034BB06 ,  3K034BC16 ,  3K034BC17 ,  3K034CA02 ,  3K034CA22 ,  3K092PP20 ,  3K092QB02 ,  3K092QB43 ,  3K092QB76 ,  3K092QC02 ,  3K092QC49 ,  3K092RF03 ,  3K092RF11 ,  3K092RF17 ,  3K092RF26 ,  3K092RF27 ,  3K092VV31 ,  3K092VV35

引用特許：

出願人引用 (2件)

• セラミックヒータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-333647   出願人：日本特殊陶業株式会社
• 酸素センサ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-154412   出願人：京セラ株式会社

審査官引用 (4件)

• セラミック複合体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-087254   出願人：京セラ株式会社
• 空燃比センサ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-092183   出願人：京セラ株式会社
• 半導体処理装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-263673   出願人：日本碍子株式会社
• セラミックスヒータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-030173   出願人：日本電装株式会社