特許
J-GLOBAL ID：200903039415480520

SiC半導体層およびショットキーコンタクトの表面を処理するための方法

発明者：
バルチュ, ヴォルフガング

バルチュ, ヴォルフガング について

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トロイ, ミヒャエル

トロイ, ミヒャエル について

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ルップ, ローラント

ルップ, ローラント について


出願人/特許権者：
インフィネオン テクノロジーズ アクチェンゲゼルシャフト

インフィネオン テクノロジーズ アクチェンゲゼルシャフト について


代理人 (1件)： 山本 秀策 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-537784
公開番号（公開出願番号）：特表2003-514393
出願日： 2000年11月14日
公開日（公表日）： 2003年04月15日
要約：
【要約】本発明は、エピタキシーによって作製されたSiC半導体(1、2)の表面を処理するための方法に関し、この方法では、エピタキシーの最終相において堆積したエピタキシー層(2)の部分(4)がエッチングによって除去され、これに続いて、表面上の薄い天然の酸化物を剥離するために湿式化学処理が行われる。代替的に、除去工程の直後、ショットキーコンタクトとしておよび/またはオームのコンタクトとして形成された金属層(5)が表面上に付与され得る。
請求項（抜粋）：
エピタキシーで作製されたSiC半導体層(2、3、4)の表面を処理するための方法であって、 該表面上で、該エピタキシーの後、金属層(5)がコンタクトとして付与され、 該金属層(5)が付与される前に、該表面には除去プロセスが実行され、 天然の表面酸化物を取除くために、金属層が付与される直前に、該表面に次の湿式化学処理が行われる、方法。
IPC (4件)：
H01L 29/47 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/872
FI (3件)：
H01L 21/20 ,  H01L 29/48 D ,  H01L 21/302 101 B
Fターム (21件)：
4M104AA03 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD22 ,  4M104DD26 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104GG03 ,  5F004AA14 ,  5F004BA04 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004EA27 ,  5F052DA10 ,  5F052JA07 ,  5F052KA05
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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