特許
J-GLOBAL ID：200903039457793250
化合物半導体のエッチング方法および化合物半導体素子の製造方法および半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-068262
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270786
出願日： 1997年03月21日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 異なる種類の構成材料からなる2層以上の化合物半導体層を1回のエッチングでエッチングし得る化合物半導体のエッチング方法を提供する。【解決手段】 マスク層8を介してp型GaAs保護層7、p型GaInPキャップ層6、及びp型AlGaInPクラッド層5からなる化合物半導体層を、温度10°Cの臭化水素酸(HBrが47%含有):リン酸(H3 PO4 が85〜87%含有):過酸化水素水(H2 O2 が35%含有)=75:50:1(体積比)のエッチング液で1回の処理によりエッチング(エッチングレートは約140Å/秒)して、p型クラッド層5に層厚0.4μmの平坦部5a及び幅3μmのストライプ部5bを有するストライプ状リッジ導波路9を形成する。
請求項（抜粋）：
GaとAsを少なくとも含有する第1化合物半導体結晶、ZnとSeを少なくとも含有する第2化合物半導体結晶、またはInとAsを少なくとも含有する第3化合物半導体結晶のいずれかを少なくとも有して成る化合物半導体を、臭化水素酸と、過酸化水素水とを含む混合液を用いてエッチングすることを特徴とする化合物半導体のエッチング方法。
引用特許：
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