磁気抵抗ランダムアクセスメモリ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-374575
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195251
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】高密度の磁気抵抗ランダムアクセスメモリを提供する。【解決手段】上磁性層11と前記上磁性層11の下面に形成されたバリア膜10と前記上磁性層11及び前記バリア膜10が複数形成された下磁性層9とを有する磁気トンネル抵抗素子2と、前記磁気トンネル抵抗素子2の上面に接続された上部電極4と、前記磁気トンネル抵抗素子2の下面に接続された下部電極3と、を有する。

請求項（抜粋）：

上磁性層と前記上磁性層の下面に形成されたバリア膜と前記上磁性層及び前記バリア膜が複数形成された下磁性層とを有する磁気トンネル抵抗素子と、前記磁気トンネル抵抗素子の上面に接続された上部電極と、前記磁気トンネル抵抗素子の下面に接続された下部電極と、を有することを特徴とする磁気抵抗ランダムアクセスメモリ。

IPC (2件)：

G11C 11/15 , H01L 43/08

FI (2件)：

G11C 11/15 , H01L 43/08 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁気応答が制御可能な磁気トンネル接合
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-058777 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
磁気メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-367280 出願人：株式会社東芝
複数の接合部を有する安定した磁気トンネル・デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-026291 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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