特許

J-GLOBAL ID：200903039482847136

石英ガラスルツボ

発明者： 岸 弘史 ,  神田 稔
出願人/特許権者： ジャパンスーパークォーツ株式会社 ,  株式会社SUMCO
代理人 (1件)： 千葉 博史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-356391
公開番号（公開出願番号）：特開2008-162865
出願日： 2006年12月28日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：

【課題】シリコン単結晶のピンホールが少ない石英ガラスルツボを提供する。【解決手段】シリコン単結晶引上げ用の石英ガラスルツボであって、非晶質シリカが結晶化した結晶質シリカの面積をルツボ内面積の10%以下に抑制し、または、ルツボ内表面の開気泡による凹部の密度を0.01〜0.2個/mm2に制限した石英ガラスルツボ、または、該石英ルツボを使用し、ルツボ内表面の溶損速度を20μm/hr以下に抑制してシリコン単結晶の引き上げことにより、ピンホールを防止する方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶引上げ用の石英ガラスルツボであって、非晶質シリカが結晶化した結晶質シリカの面積をルツボ内面積の10%以下に抑制することによって、シリコン単結晶のピンホールを防止したことを特徴とする石英ガラスルツボ。

IPC (3件)：

C30B 29/06 ,  C30B 15/10 ,  C03B 20/00

FI (3件)：

C30B29/06 502B ,  C30B15/10 ,  C03B20/00 H

Fターム (8件)：

4G014AH00 ,  4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EG02 ,  4G077HA12 ,  4G077PD01 ,  4G077PF55

引用特許：

出願人引用 (2件)

• シリコン単結晶の引上方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-185175   出願人：信越半導体株式会社
• シリコン単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-341722   出願人：住友金属工業株式会社

審査官引用 (3件)

• 石英坩堝及び該石英坩堝の評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-166525   出願人：住友シチックス株式会社
• 石英ガラスルツボとその評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-160735   出願人：三菱マテリアルクォーツ株式会社
• 特開平4-202086