特許
J-GLOBAL ID：200903039503922770

導電性一酸化ニオブゲートを有するMOSFET構造

発明者：
ウェイ ガオ

ウェイ ガオ について

, 
ヨシ オノ

ヨシ オノ について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-267610
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109471
出願日： 2004年09月14日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【課題】 ゲート誘電体の上の一酸化ニオブゲートを含むMOSFETゲート構造を提供する。【解決手段】 MOSFETゲート構造であって、基板の上のゲート誘電体と、該ゲート誘電体の上で一酸化ニオブが過半数を占めるゲートとを含む、MOSFETゲート構造である。この一酸化ニオブゲートは、NMOSゲートとして用いるために適切な低い仕事関数を有していてもよい。一酸化ニオブが過半数を占めるゲートは、約4.1eV〜約4.4eVの仕事関数を有していてもよい。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
MOSFETゲート構造であって、 基板の上のゲート誘電体と、 該ゲート誘電体の上で一酸化ニオブが過半数を占める(predominantly)ゲートと を含む、MOSFETゲート構造。
IPC (5件)：
H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49
FI (4件)：
H01L29/78 301G ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 S ,  H01L29/58 G
Fターム (34件)：
4M104AA01 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD42 ,  4M104DD78 ,  4M104EE16 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F140AA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF20 ,  5F140BG01 ,  5F140BG26 ,  5F140BG30 ,  5F140BG33 ,  5F140BG37 ,  5F140BG40 ,  5F140BG44 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CE05 ,  5F140CF00
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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