導電性一酸化ニオブゲートを有するMOSFET構造

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山本秀策 , 安村高明 , 大塩竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-267610
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109471
出願日： 2004年09月14日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】ゲート誘電体の上の一酸化ニオブゲートを含むMOSFETゲート構造を提供する。【解決手段】 MOSFETゲート構造であって、基板の上のゲート誘電体と、該ゲート誘電体の上で一酸化ニオブが過半数を占めるゲートとを含む、MOSFETゲート構造である。この一酸化ニオブゲートは、NMOSゲートとして用いるために適切な低い仕事関数を有していてもよい。一酸化ニオブが過半数を占めるゲートは、約4.1eV〜約4.4eVの仕事関数を有していてもよい。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

MOSFETゲート構造であって、基板の上のゲート誘電体と、該ゲート誘電体の上で一酸化ニオブが過半数を占める(predominantly)ゲートとを含む、MOSFETゲート構造。

IPC (5件)：

H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L29/423 , H01L29/49

FI (4件)：

H01L29/78 301G , H01L21/28 301R , H01L21/285 S , H01L29/58 G

Fターム (34件)：

4M104AA01 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD42 , 4M104DD78 , 4M104EE16 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5F140AA00 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF20 , 5F140BG01 , 5F140BG26 , 5F140BG30 , 5F140BG33 , 5F140BG37 , 5F140BG40 , 5F140BG44 , 5F140BK05 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CE05 , 5F140CF00

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-178053 出願人：株式会社東芝
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-107107 出願人：京セラ株式会社
水素イオン検出素子およびそれをそなえた鉛蓄電池
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-204707 出願人：日本電池株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

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