特許

J-GLOBAL ID：200903039504006130

リソグラフィ装置、デバイスを製造する方法、およびその方法によって製造したデバイス

発明者： レネ マリヌス ゲラルデュス ヨハン クイーンズ ,  パウルス アントニウス アンドレアス テウニッセン
出願人/特許権者： エイエスエムエル ネザランドズ ベスローテン フエンノートシャップ
代理人 (4件)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  森 徹 ,  吉田 裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-151649
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006892
出願日： 2003年04月22日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】少なくとも2つのリソグラフィ投射装置のレベル・センサを較正して、機械ごとのレベル・センサのプロセス依存性を補正すること。【解決手段】補正方法は、基準基板について、第1のリソグラフィ投射装置を使用して第1組のレベリング・データを測定することと、選択したプロセスに従って処理された基板について、該第1の装置を使用して第2組のレベリング・データを測定することと、基準基板について、第2の装置を使用して第3組のレベリング・データを測定することと、該処理済みの基板について、第2の装置を使用して第4組のレベリング・データを測定することと、第1、第2、第3および第4の組のレベリング・データを使用して、該選択したプロセスについて機械間のレベル・センサの差に対応する一組のレベル・センサ・パラメータを算出することとを含む。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくとも2つのリソグラフィ投射装置のレベル・センサを較正して、機械ごとのレベル・センサのプロセス依存性を補正する方法であって、 基準基板について、第1のリソグラフィ投射装置を使用して第1組のレベリング・データを測定することと、 選択したプロセスに従って処理された基板について、該第1の装置を使用して第2組のレベリング・データを測定することと、 基準基板について、第2の装置を使用して第3組のレベリング・データを測定することと、 該選択したプロセスに従って処理された該基板について、第2の装置を使用して第4組のレベリング・データを測定することと、 第1、第2、第3および第4組のレベリング・データを使用して、該選択したプロセスについて機械間のレベル・センサの差に対応する一組のレベル・センサ・パラメータを算出することとを含む方法。

IPC (2件)：

H01L21/027 ,  G03F7/20

FI (6件)：

H01L21/30 526Z ,  G03F7/20 503 ,  G03F7/20 504 ,  H01L21/30 531E ,  H01L21/30 541V ,  H01L21/30 514E

Fターム (8件)：

2H097CA15 ,  2H097CA16 ,  2H097LA10 ,  5F046DA04 ,  5F046DA05 ,  5F046DA30 ,  5F056CB21 ,  5F056CB40

引用特許：

審査官引用 (5件)

• リソグラフィック投影装置のオフアキシレベリング
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-107375   出願人：エイエスエムリトグラフィーベスローテンフエンノートシャップ
• 投影露光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-072874   出願人：株式会社ニコン
• 露光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-183898   出願人：株式会社ニコン
• 露光装置の制御方法及び露光システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-313036   出願人：キヤノン株式会社
• リソグラフィシステム及びそれを利用した半導体デバイス製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-323959   出願人：株式会社ニコン