特許
J-GLOBAL ID：200903039548378817
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-115457
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321077
出願日： 1994年05月27日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】本発明は、凹凸を有するウェーハ基板の表面に形成された絶縁膜をポリッシュする方法において、絶縁膜を均一に平坦化できるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、セル12および配線13の形成されたウェーハ基板11の全面に、配線13を覆う高さ以上の厚さで、弗素を含む絶縁膜14を形成する。そして、この弗素を含んでなる絶縁膜14を、CMP装置により酸化セリウムを含む研磨剤を用いてポリッシュする。これにより、ウェーハ面内での平坦面の均一性の悪さを改善でき、均一性の良い平坦面をもって絶縁膜を平坦化できる構成となっている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に弗素を含んで形成された絶縁膜をケミカル・メカニカル・ポリッシング法により平坦化する工程からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, C23C 16/40
, H01L 21/316
