特許
J-GLOBAL ID：200903039571860898
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-207451
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040786
出願日： 1998年07月23日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：
【要約】【課題】 高集積化が可能であり、かつ共振の尖鋭度Qの高いインダクタ素子を提供する。【解決手段】 本願発明は、上面から見ると螺旋状になるようにシリコン基板21内に形成されたトレンチ22と、そのトレンチ22内に形成されたシリコン酸化膜23と、前記シリコン基板21及び前記シリコン酸化膜23の上面に形成された層間絶縁膜24と、その層間絶縁膜24の上面であって前記トレンチ22の上方に、上面から見ると螺旋状になるように形成されたアルミ配線26とを具備することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の所定の位置から所定の深さを有するトレンチと、前記トレンチ内に形成された第一の絶縁膜と、前記半導体基板及び前記第一の絶縁膜の上面に形成された第二の絶縁膜と、前記第二の絶縁膜の上面であって、上面から見ると前記トレンチと重なるように形成された金属配線とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
Fターム (10件)：
5F038AR01
, 5F038AV06
, 5F038AZ05
, 5F038CA20
, 5F038CD13
, 5F038CD18
, 5F038DF05
, 5F038EZ12
, 5F038EZ15
, 5F038EZ20
